等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強(qiáng)，滑軌式設(shè)計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置，可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復(fù)性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

　　主要功能和特點(diǎn)：

　　1、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子激活氣相；

　　2、提高了氣相反應(yīng)的沉積速率、成膜質(zhì)量；

　　3、可通過調(diào)整射頻電源頻率來控制沉積速率；

　　4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

 

　　優(yōu)點(diǎn)：

　　等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐的主要優(yōu)點(diǎn)是沉積溫度低，對基體的結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)影響小；膜的厚度及成分均勻性好；膜組織致密、針孔少；膜層的附著力強(qiáng)；應(yīng)用范圍廣，可制備各種金屬膜、無機(jī)膜和有機(jī)膜。

 

　　等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐的制取方法：

　　在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，從而進(jìn)行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓（1～600Pa），基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng)，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的。激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。